新聞中心

EEPW首頁 > 網絡與存儲 > 新品快遞 > 3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術

3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術

作者:肖瘦人時間:2023-05-05來源:中關村在線收藏

5 月 5 日消息, 鎧俠和西數展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現 8 平面 設備以及具有超過 300 條字線的 IC。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202305/446244.htm

根據其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。

此外,鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向結晶(MILC)技術提高通道的結晶質量,再利用尖端的鎳鑄方法來消除硅材料中的雜質和缺陷。



關鍵詞: 3D NAND

評論


相關推薦

技術專區

關閉
99RE6热在线精品视频播放,国外SPANK打屁股网站,免费完整SPANK视频网站学生,爱豆传媒最新视频在线观看无限版