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重磅消息!美國芯片實現重大突破,有望引領新一輪的技術革命!

作者:時間:2023-05-08來源:鈦媒體APP收藏

近日,美國麻省理工學院()的研究團隊取得了一項重大突破,他們開發出了一種全新的技術,可以將低溫生長區與高溫硫化物前體分解區分離,并通過金屬有機化學氣相沉積法,在低于300℃的溫度下合成二維材料。這項技術可以直接在8英寸的薄膜CMOS晶圓上生長,從而實現更高層次的芯片建造。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202305/446288.htm

這項技術的意義非常重大,如果成熟并得到廣泛應用,將會引領新一輪的技術革命。人工智能和機器人技術將會迅速發展,賽博朋克世界或許也會很快到來。

為什么這項技術如此重要呢?首先,我們需要了解芯片在現代社會中扮演著什么樣的角色。芯片是計算機、手機、平板電腦等電子設備中最為關鍵的部件之一。它是信息處理和存儲的基礎,也是人工智能和機器人等新興產業發展所必需的核心部件。

然而,在過去幾十年中,芯片的發展速度已經逐漸放緩。原因之一是,芯片制造技術已經接近物理極限。傳統的制造方法需要在高溫下生產材料,這會導致晶體缺陷和雜質的產生,從而影響芯片的性能和可靠性。

麻省理工學院的這項新技術可以有效地解決這個問題。它將低溫生長區與高溫硫化物前體分解區分離,并且使用金屬有機化學氣相沉積法在低于300℃的溫度下合成二維材料。這種方法可以避免晶體缺陷和雜質的產生,從而提高芯片的性能和可靠性。

此外,這項技術還具有其他優勢。首先,它可以直接在8英寸的薄膜CMOS晶圓上生長,從而節省了制造過程中的時間和成本。其次,它可以實現更高層次的芯片建造,為人工智能和機器人等新興產業發展提供更強大的支持。

總之,美國麻省理工學院研究團隊開發出的這項全新技術具有重要意義。如果這項技術得到廣泛應用,將會引領新一輪的技術革命,推動人工智能和機器人等新興產業迅速發展。



關鍵詞: MIT 二硫化鉬

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