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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管,提升開關電源設計能效和可靠性

—— 器件采用MPS結構設計,額定電流5 A~ 40 A,低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低
作者: 時間:2024-06-28 來源:EEPW 收藏

日前,威世科技 Intertechnology, Inc.宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二極管。 Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)結構設計,具有高浪涌電流保護能力,低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低,有助于提升設計能效和可靠性。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202406/460486.htm

日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括5 A至40 A器件,采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝。由于采用MPS結構——利用激光退火背面減薄技術——二極管電容電荷低至28 nC,正向壓降減小為1.35 V。此外,器件25 °C下典型反向漏電流僅為2.5 μA,因此降低了導通損耗,確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同,第三代器件幾乎沒有恢復拖尾,從而能夠進一步提升效率。

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碳化硅二極管典型應用包括FBPS和LLC轉換器AC/DC功率因數(shù)校正(PFC)和 DC/DC超高頻輸出整流,適用于光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)驅動器和工具、數(shù)據(jù)中心等。這些嚴苛的應用環(huán)境中,器件工作溫度可達+175°C,正向額定浪涌電流保護能力高達260 A。此外,D2PAK 2L封裝二極管采用高CTI 3 600的塑封料,確保電壓升高時優(yōu)異的絕緣性能。

器件具有高可靠性,符合RoHS標準,無鹵素,通過2000小時高溫反偏(HTRB)測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試。

器件規(guī)格表:

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新型SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產,供貨周期為13周。



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